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SM8A04NSF	文件：2.19022 Mbytes Page：9 Pages	Power MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
TPC8A04-H	文件：1.58274 Mbytes Page：73 Pages	BipolarSmall-SignalTransistors MOSGT30F12630F12630A/330VIGBTTO-220F Toshiba30F126GT30F126 Referencesite:http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html ReferencePDF(30F124,30F125,30F127,30F128,30F131) :http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
TPCA8A04-H	文件：1.58274 Mbytes Page：73 Pages	BipolarSmall-SignalTransistors MOSGT30F12630F12630A/330VIGBTTO-220F Toshiba30F126GT30F126 Referencesite:http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html ReferencePDF(30F124,30F125,30F127,30F128,30F131) :http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
TPCA8A04-H	文件：1.11174 Mbytes Page：7 Pages	N-Channel30V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
TPCA8A04-H	文件：201.16 Kbytes Page：8 Pages	TOSHIBAFieldEffectTransistorwithBuilt-inSchottkyBarrierDiode HighEfficiencyDC-DCConverterApplications NotebookPCApplications PortableEquipmentApplications •Built-inaschottkybarrierdiode Lowforwardvoltage:VDSF=−0.6V(max) •High-speedswitching •Smallgatecharge:QSW=13.4nC(typ.) •Lowdrain-sourceON-resistance:RDS(ON)=	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
UF8A04	文件：950.52 Kbytes Page：2 Pages	GlassPassivatedUltraFastRecoveryRectifier	YENYOYenyo Technology Co., Ltd. 元耀科技元耀科技股份有限公司	YENYO
UF8A04F	文件：851.59 Kbytes Page：2 Pages	GlassPassivatedUltraFastRecoveryRectifier	YENYOYenyo Technology Co., Ltd. 元耀科技元耀科技股份有限公司	YENYO
UF8A04-G	文件：46.86 Kbytes Page：2 Pages	GlassPassivatedUltraFastRecoveryRectifier Features ◆Lowforwardvoltagedrop ◆Fastswitchingforhighefficiency ◆Highcurrentcapability ◆Highsurgecurrentcapability ◆Lowreverseleakagecurrent	COMCHIPComchip Technology 典琦典琦科技股份有限公司	COMCHIP

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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