TPCA8A04-H中文资料东芝数据手册PDF规格书

厂商型号	TPCA8A04-H
功能描述	TOSHIBA Field Effect Transistor with Built-in Schottky Barrier Diode
文件大小	201.16 Kbytes
页面数量	8 页
生产厂商	Toshiba Semiconductor
企业简称	TOSHIBA【东芝】
中文名称	株式会社东芝官网
原厂标识
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更新时间	2025-8-3 20:00:00
人工找货	TPCA8A04-H价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货

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• Built-in a schottky barrier diode

Low forward voltage: VDSF = −0.6 V (max)

• High-speed switching

• Small gate charge: QSW = 13.4 nC (typ.)

• Low drain-source ON-resistance: RDS (ON) = 2.3 mΩ (typ.)

• High forward transfer admittance: |Yfs| = 127 S (typ.)

• Low leakage current: IDSS = 100 μA (max) (VDS = 30 V)

• Enhancement mode: Vth = 1.3 to 2.3 V (VDS = 10 V, ID = 1 mA)

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