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SM7509NSKP	文件：297.94 Kbytes Page：11 Pages	N-Channel Enhancement Mode MOSFET	SINOPWERSinopower Semiconductor Inc 大中集成电路大中集成电路股份有限公司	SINOPWER
SM7509NSKPC-TRG	文件：297.94 Kbytes Page：11 Pages	N-Channel Enhancement Mode MOSFET	SINOPWERSinopower Semiconductor Inc 大中集成电路大中集成电路股份有限公司	SINOPWER
D7509	文件：916.56 Kbytes Page：11 Pages	80A75VN-channelEnhancementModePowerMOSFET Description TheseN-channelenhancementmodepowerMOSFETS Usedadvancedtrenchtechnologydesign,provided excellentRDSONandlowgatecharge.Whichaccordswith theRoHSstandard. Features ●LowOnResistance ●LowGateCharge ●FastSwitching ●LowReverseTransferCapacitances ●1	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
ED7509	文件：916.56 Kbytes Page：11 Pages	80A75VN-channelEnhancementModePowerMOSFET Description TheseN-channelenhancementmodepowerMOSFETS Usedadvancedtrenchtechnologydesign,provided excellentRDSONandlowgatecharge.Whichaccordswith theRoHSstandard. Features ●LowOnResistance ●LowGateCharge ●FastSwitching ●LowReverseTransferCapacitances ●1	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
FD7509	文件：916.56 Kbytes Page：11 Pages	80A75VN-channelEnhancementModePowerMOSFET Description TheseN-channelenhancementmodepowerMOSFETS Usedadvancedtrenchtechnologydesign,provided excellentRDSONandlowgatecharge.Whichaccordswith theRoHSstandard. Features ●LowOnResistance ●LowGateCharge ●FastSwitching ●LowReverseTransferCapacitances ●1	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
ID7509	文件：916.56 Kbytes Page：11 Pages	80A75VN-channelEnhancementModePowerMOSFET Description TheseN-channelenhancementmodepowerMOSFETS Usedadvancedtrenchtechnologydesign,provided excellentRDSONandlowgatecharge.Whichaccordswith theRoHSstandard. Features ●LowOnResistance ●LowGateCharge ●FastSwitching ●LowReverseTransferCapacitances ●1	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
IRF7509	文件：1.96618 Mbytes Page：8 Pages	30VNP-ChannelEnhancementModeMOSFET Description TheIRF7509usesadvancedtrenchtechnology toprovideexcellentRDS(ON),lowgatechargeandoperationwithgatevoltagesaslowas4.5V.This deviceissuitableforuseasaBatteryprotectionorinotherSwitchingapplication. GeneralFeaturesVDS=30VID=6A RDS(ON)	EVVOSEMIEVER SEMICONDUCTOR CO.,LIMITED 翊欧翊欧半导体	EVVOSEMI
IRF7509	文件：217.17 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET(Vdss=-30V) Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,provi	IRF International Rectifier	IRF
IRF7509PBF	文件：247.27 Kbytes Page：8 Pages	GenerationVTechnology	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
IRF7509PBF	文件：247.27 Kbytes Page：8 Pages	GenerationVTechnology	IRF International Rectifier	IRF

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