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SM7509NSKPC-TRG	文件：297.94 Kbytes Page：11 Pages	N-Channel Enhancement Mode MOSFET	SINOPWERSinopower Semiconductor Inc 大中集成电路大中集成电路股份有限公司	SINOPWER
D7509	文件：916.56 Kbytes Page：11 Pages	80A75VN-channelEnhancementModePowerMOSFET Description TheseN-channelenhancementmodepowerMOSFETS Usedadvancedtrenchtechnologydesign,provided excellentRDSONandlowgatecharge.Whichaccordswith theRoHSstandard. Features ●LowOnResistance ●LowGateCharge ●FastSwitching ●LowReverseTransferCapacitances ●1	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
ED7509	文件：916.56 Kbytes Page：11 Pages	80A75VN-channelEnhancementModePowerMOSFET Description TheseN-channelenhancementmodepowerMOSFETS Usedadvancedtrenchtechnologydesign,provided excellentRDSONandlowgatecharge.Whichaccordswith theRoHSstandard. Features ●LowOnResistance ●LowGateCharge ●FastSwitching ●LowReverseTransferCapacitances ●1	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
FD7509	文件：916.56 Kbytes Page：11 Pages	80A75VN-channelEnhancementModePowerMOSFET Description TheseN-channelenhancementmodepowerMOSFETS Usedadvancedtrenchtechnologydesign,provided excellentRDSONandlowgatecharge.Whichaccordswith theRoHSstandard. Features ●LowOnResistance ●LowGateCharge ●FastSwitching ●LowReverseTransferCapacitances ●1	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
ID7509	文件：916.56 Kbytes Page：11 Pages	80A75VN-channelEnhancementModePowerMOSFET Description TheseN-channelenhancementmodepowerMOSFETS Usedadvancedtrenchtechnologydesign,provided excellentRDSONandlowgatecharge.Whichaccordswith theRoHSstandard. Features ●LowOnResistance ●LowGateCharge ●FastSwitching ●LowReverseTransferCapacitances ●1	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
IRF7509	文件：1.96618 Mbytes Page：8 Pages	30VNP-ChannelEnhancementModeMOSFET Description TheIRF7509usesadvancedtrenchtechnology toprovideexcellentRDS(ON),lowgatechargeandoperationwithgatevoltagesaslowas4.5V.This deviceissuitableforuseasaBatteryprotectionorinotherSwitchingapplication. GeneralFeaturesVDS=30VID=6A RDS(ON)	EVVOSEMIEVER SEMICONDUCTOR CO.,LIMITED 翊欧翊欧半导体	EVVOSEMI
IRF7509	文件：217.17 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET(Vdss=-30V) Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,provi	IRF International Rectifier	IRF
IRF7509PBF	文件：247.27 Kbytes Page：8 Pages	GenerationVTechnology	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
IRF7509PBF	文件：247.27 Kbytes Page：8 Pages	GenerationVTechnology	IRF International Rectifier	IRF
IRF7509PBF	文件：247.27 Kbytes Page：8 Pages	UltraLowOn-Resistance	IRF International Rectifier	IRF

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