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IRF7341TR	文件：117.72 Kbytes Page：7 Pages	HEXFET짰PowerMOSFET Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,provide	IRF International Rectifier	IRF
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IRF7341TR	文件：340.07 Kbytes Page：7 Pages	MOSFET Description TheSOP-8hasbeenmodifiedthroughacustomized leadframeforenhancedthermalcharacteristicsand multiple-diecapabilitymakingitidealinavarietyof powerapplications.Withtheseimprovements,multiple devicescanbeusedinanapplicationwithdramatically reducedboard	EVVOSEMIEVER SEMICONDUCTOR CO.,LIMITED 翊欧翊欧半导体	EVVOSEMI
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IRF7341TRPBF	文件：1.1291 Mbytes Page：9 Pages	DualN-Channel60V(D-S)175째CMOSFET FEATURES •TrenchFET®powerMOSFET •100RgandUIStested	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
ISO7341C	文件：1.47781 Mbytes Page：37 Pages	RobustEMC,Low-Power,Quad-ChannelReinforcedDigitalIsolators	TI1Texas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI1
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ISO7341FC	文件：1.47781 Mbytes Page：37 Pages	RobustEMC,Low-Power,Quad-ChannelReinforcedDigitalIsolators	TI1Texas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI1

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