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CDLL5530B	文件：113.21 Kbytes Page：2 Pages	LEADLESSPACKAGEFORSURFACEMOUNTZENERDIODE,500mW •1N5518BUR-1THRU1N5546BUR-1AVAILABLEINJAN,JANTXANDJANTXVPERMIL-PRF-19500/437 •ZENERDIODE,500mW •LEADLESSPACKAGEFORSURFACEMOUNT •LOWREVERSELEAKAGECHARACTERISTICS •METALLURGICALLYBONDED	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
CDLL5530B	文件：94.19 Kbytes Page：2 Pages	ZENERDIODE,500mW •1N5518BUR-1THRU1N5546BUR-1AVAILABLEINJAN,JANTXANDJANTXVPERMIL-PRF-19500/437 •ZENERDIODE,500mW •LEADLESSPACKAGEFORSURFACEMOUNT •LOWREVERSELEAKAGECHARACTERISTICS •METALLURGICALLYBONDED	CDI-DIODE Compensated Deuices Incorporated	CDI-DIODE
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CDLL5530D	文件：113.21 Kbytes Page：2 Pages	LEADLESSPACKAGEFORSURFACEMOUNTZENERDIODE,500mW •1N5518BUR-1THRU1N5546BUR-1AVAILABLEINJAN,JANTXANDJANTXVPERMIL-PRF-19500/437 •ZENERDIODE,500mW •LEADLESSPACKAGEFORSURFACEMOUNT •LOWREVERSELEAKAGECHARACTERISTICS •METALLURGICALLYBONDED	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
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CEM5530	文件：88.72 Kbytes Page：3 Pages	3횠CHANNELSAMPLE&HOLD	CESCurtis Electromusic. 柯蒂斯电子柯蒂斯电子音乐公司	CES
CLL5530B	文件：305.93 Kbytes Page：2 Pages	SURFACEMOUNTSILICONZENERDIODE10VOLTS400mW,5TOLERANCE DESCRIPTION: TheCENTRALSEMICONDUCTORCLL5530BisaSiliconAvalancheZenerDiodedesignedforapplicationsrequiringlownoise,lowleakage,lowcurrent,andlowimpedance. MARKING:CATHODEBAND	CentralCentral Semiconductor Corp 美国中央半导体	Central
CS5530	文件：277.27 Kbytes Page：36 Pages	24-bitADCwithUltra-low-noiseAmplifier CS5530向广受欢迎的集成DeltaSigma模/数转换器CS5531/32/33/34系列的用户提供了一个成本更低的选项。保留了同样的低噪性能和输出字速率灵活性，但减少了一些功能集。通过高性能斩波稳定式测量放大器中单差分输入通道和固定的64x增益，噪音性能在0.01Hz时可以低至12nV/√Hz。同时还提供了数字标度功能，该功能可以额外提供最大40的有效增益。DeltaSigma调制器和产品全系列使用的调制器完全相同，拥有同样出色的50/60Hz抑制。用户可选的输出字速率范围也没有改变，当主时钟的频率是4.9152MHz时，介于6.25和3	CIRRUSCirrus Logic 凌云逻辑	CIRRUS
CS5530	文件：3.57568 Mbytes Page：241 Pages	Geode??CS5530I/OCompanionMulti-FunctionSouthBridge	NSCNational Semiconductor (TI) 美国国家半导体美国国家半导体公司	NSC
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更多SM5530E供应商更新时间2024-6-19 15:30:00

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