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SM3022-030-G-D

OEM Silicon Pressure Die

文件:646.28 Kbytes 页数:6 Pages

SMI

SM3023NSU

N-Channel Enhancement Mode MOSFET

文件:241.67 Kbytes 页数:10 Pages

SINOPWER

大中集成电路

SM3023NSUC-TRG

N-Channel Enhancement Mode MOSFET

文件:241.67 Kbytes 页数:10 Pages

SINOPWER

大中集成电路

SM3023NSV

N-Channel Enhancement Mode MOSFET

文件:235.8 Kbytes 页数:10 Pages

SINOPWER

大中集成电路

SM3023NSVC-TRG

N-Channel Enhancement Mode MOSFET

文件:235.8 Kbytes 页数:10 Pages

SINOPWER

大中集成电路

SM3024NSF

N-Channel MOSFET uses advanced trench technology

文件:1.84433 Mbytes 页数:5 Pages

DOINGTER

杜因特

SM3024NSU

N-Channel Enhancement Mode MOSFET

文件:276.34 Kbytes 页数:11 Pages

SINOPWER

大中集成电路

SM3024NSUC-TRG

N-Channel Enhancement Mode MOSFET

文件:276.34 Kbytes 页数:11 Pages

SINOPWER

大中集成电路

SM3024NSUC-TRG

N-Channel 30-V (D-S) MOSFET

文件:992.58 Kbytes 页数:8 Pages

VBSEMI

微碧半导体

SM3-025.92M

ULTRA MINIATURE STRATUM 3 MODULE

文件:406.93 Kbytes 页数:36 Pages

CONNOR-WINFIELD

晶体管资料

  • 型号:

    SM3B41

  • 别名:

    三极管、晶体管、晶体三极管

  • 生产厂家:

  • 制作材料:

    Triac

  • 性质:

  • 封装形式:

    直插封装

  • 极限工作电压:

    100V

  • 最大电流允许值:

    3A

  • 最大工作频率:

    <1MHZ或未知

  • 引脚数:

    3

  • 可代换的型号:

    TAG220-...,TAG225-...,TAG231-...,

  • 最大耗散功率:

  • 放大倍数:

  • 图片代号:

    A-83

  • vtest:

    100

  • htest:

    999900

  • atest:

    3

  • wtest:

    0

技术参数

  • 反向关态电压(伏特):

    30

  • 最小击穿电压(伏特):

    27

  • 最大击穿电压(伏特):

    33

  • 测试电流(毫安):

    1

  • 最大限制电压(伏特):

    43.5

  • 峰值脉冲电流(安培):

    9.2

  • 最大反向漏电(微安):

    5

  • 产品外型:

    MELF

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更多SM3供应商 更新时间2026-1-17 16:01:00