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SM3020PSU	文件：1.02575 Mbytes Page：9 Pages	P-Channel 30-V (D-S) MOSFET 文件：1.02575 Mbytes 页数：9 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
SM3020PSU	文件：235.9 Kbytes Page：10 Pages	P-Channel Enhancement Mode MOSFET 文件：235.9 Kbytes 页数：10 Pages	SINOPWER 大中集成电路	SINOPWER
SM3020PSUC-TRG	文件：235.9 Kbytes Page：10 Pages	P-Channel Enhancement Mode MOSFET 文件：235.9 Kbytes 页数：10 Pages	SINOPWER 大中集成电路	SINOPWER
SM3021-005-G-D	文件：670.06 Kbytes Page：6 Pages	OEM Silicon Pressure Die 文件：670.06 Kbytes 页数：6 Pages	SMI	SMI
SM3021-015-G-D	文件：670.06 Kbytes Page：6 Pages	OEM Silicon Pressure Die 文件：670.06 Kbytes 页数：6 Pages	SMI	SMI
SM3021-030-G-D	文件：670.06 Kbytes Page：6 Pages	OEM Silicon Pressure Die 文件：670.06 Kbytes 页数：6 Pages	SMI	SMI
SM3021-080-G-D	文件：670.06 Kbytes Page：6 Pages	OEM Silicon Pressure Die 文件：670.06 Kbytes 页数：6 Pages	SMI	SMI
SM3021-150-G-D	文件：670.06 Kbytes Page：6 Pages	OEM Silicon Pressure Die 文件：670.06 Kbytes 页数：6 Pages	SMI	SMI
SM3022-005-G-D	文件：646.28 Kbytes Page：6 Pages	OEM Silicon Pressure Die 文件：646.28 Kbytes 页数：6 Pages	SMI	SMI
SM3022-015-G-D	文件：646.28 Kbytes Page：6 Pages	OEM Silicon Pressure Die 文件：646.28 Kbytes 页数：6 Pages	SMI	SMI

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晶体管资料

型号：
SM3B41
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Triac
性质：
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
100V
最大电流允许值：
3A
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
3
可代换的型号：
TAG220-...,TAG225-...,TAG231-...,
最大耗散功率：
放大倍数：
图片代号：
A-83
vtest：
100
htest：
999900
atest：
3
wtest：
0

技术参数

反向关态电压（伏特）：
30
最小击穿电压（伏特）：
27
最大击穿电压（伏特）：
33
测试电流（毫安）：
1
最大限制电压（伏特）：
43.5
峰值脉冲电流（安培）：
9.2
最大反向漏电（微安）：
5
产品外型：
MELF

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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