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EJ16106	文件：139.08 Kbytes Page：1 Pages	DATASUBJECTTOCHANGEWITHOUTNOTLCE	HAMMOND Hammond Manufacturing Ltd.
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MJE16106	文件：298.46 Kbytes Page：2 Pages	iscSiliconNPNPowerTransistor DESCRIPTION ·Collector–EmitterSustainingVoltage :VCEO(SUS)=400V(Min.) ·CollectorSaturationVoltage :VCE(sat)=2.0(Max)@IC=5.0A ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation APPLICATIONS ·Designedforuseinhigh-voltage,high-speed,powers	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司
MJE16106	文件：380.68 Kbytes Page：10 Pages	POWERTRANSISTORS8AMPERES400VOLTS100AND125WATTS NPNSiliconPowerTransistorSwitchmodeBridgeSeries ...specificallydesignedforuseinhalfbridgeandfullbridgeofflineconverters. •ExcellentDynamicSaturationCharacteristics •RuggedRBSOACapability •Collector–EmitterSustainingVoltage—VCEO(sus)—400V •Collector–Emitter	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉
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