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SLVU2.8-4	文件：429.08 Kbytes Page：4 Pages	TransientVoltageSuppressorsArrayforESDProtection Description TheSLVU2.8-4isinanSO-08packageandmaybeusedtoprotecttwohigh-speedlinepairs.The“flow-thru”designminimizestraceinductanceandreducesvoltageovershootassociatedwithESDevents.ThelowclampingvoltageoftheSLVU2.8-4minimizesthestressontheprotectedIC. F	UNSEMIUN Semiconducctor INC 优恩半导体深圳市优恩半导体有限公司	UNSEMI
SLVU2.8-4	文件：310.05 Kbytes Page：3 Pages	LowCapacitanceTVSDiodeArray FEATURES ◆400WattsPeakPulsePowerperLine(tp=8/20µs) ◆Protectstwolinepairs(fourlines) ◆Lowcapacitance ◆RoHSCompliant APPLICATIONS ◆10/100/1000Ethernet ◆WAN/LANEquipment ◆Test&MeasurementEquipment ◆SwitchingSystems ◆Instrumentation ◆Audio/VideoInputs	DIOTECH Diotech Company.	DIOTECH
SLVU2.8-4	文件：764.53 Kbytes Page：5 Pages	2.8VTVSArrayForESDandLatch-UpProtection	APMICROApplied Power Microelectronics Co.,Ltd. 应能江苏应能微电子股份有限公司	APMICRO
SLVU2.8-4.T	文件：201.67 Kbytes Page：9 Pages	EPDTVSDiodeArrayForESDandLatch-UpProtection Description TheSLVseriesoftransientvoltagesuppressorsaredesignedtoprotectlowvoltage,state-of-the-artCMOSsemiconductorsfromtransientscausedbyelectrostaticdischarge(ESD),cabledischargeevents(CDE),lightningandotherinducedvoltagesurges. Thedevicesareconstructedusi	SEMTECH Semtech Corporation	SEMTECH
SLVU2.8-4.TB	文件：201.67 Kbytes Page：9 Pages	EPDTVSDiodeArrayForESDandLatch-UpProtection Description TheSLVseriesoftransientvoltagesuppressorsaredesignedtoprotectlowvoltage,state-of-the-artCMOSsemiconductorsfromtransientscausedbyelectrostaticdischarge(ESD),cabledischargeevents(CDE),lightningandotherinducedvoltagesurges. Thedevicesareconstructedusi	SEMTECH Semtech Corporation	SEMTECH
SLVU2.8-4.TBT	文件：204.88 Kbytes Page：9 Pages	EPDTVSDiodeArrayForESDandLatch-UpProtection Description TheSLVseriesoftransientvoltagesuppressorsaredesignedtoprotectlowvoltage,state-of-the-artCMOSsemiconductorsfromtransientscausedbyelectrostaticdischarge(ESD),cabledischargeevents(CDE),lightningandotherinducedvoltagesurges. Thedevicesareconstructedusi	SamtecSamtec, Inc 美国申泰	Samtec
SLVU2.8-4.TBT	文件：201.67 Kbytes Page：9 Pages	EPDTVSDiodeArrayForESDandLatch-UpProtection Description TheSLVseriesoftransientvoltagesuppressorsaredesignedtoprotectlowvoltage,state-of-the-artCMOSsemiconductorsfromtransientscausedbyelectrostaticdischarge(ESD),cabledischargeevents(CDE),lightningandotherinducedvoltagesurges. Thedevicesareconstructedusi	SEMTECH Semtech Corporation	SEMTECH
SLVU2.8-4.TBT	文件：469.53 Kbytes Page：4 Pages	2.8VTVSArrayForESDandLatch-UpProtection flowthroughdesignmakestheSLVU2.8-4.TBT contactdischarge.TheSLVU2.8-4.TBTisassembled SLVU2.8-4 TheSLVU2.8-4.TBT Description isdesignedtoprotectlow voltage,CMOSsemiconductorsfromtransients causedbyelectrostaticdischarge(ESD),cable dischargeevents(CDE),lightningandoth	UMWGuangdong Youtai Semiconductor Co., Ltd. 友台半导体广东友台半导体有限公司	UMW
SLVU2.8-4.TBT	文件：853.32 Kbytes Page：42 Pages	Tiva??CSeriesTM4C1294ConnectedLaunchPadEvaluationKit	TITexas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI
SLVU2.8-4.TBT	文件：6.66701 Mbytes Page：4 Pages	TVSArrayForESDandLatchUpProtection Features ●100Wpeakpulsepower(8/20μs) ●Protectstwolinepairs(fourlines) ●Ultralowleakage:nAlevel ●Lowoperatingvoltage:2.8V ●Lowcapacitance ●Ultralowclampingvoltage ●JEDECSO-8package ●Complieswithfollowingstandards: -IEC61000-4-2(ESD)immunitytest Airdis	TECHPUBLICTECH PUBLIC Electronics co LTD 台舟电子台舟电子股份有限公司	TECHPUBLIC

产品属性

产品编号：
SLVU2.8-4-TP
制造商：
Micro Commercial Co
类别：
电路保护 > TVS - 二极管
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
类型：
齐纳
电压 - 反向断态（典型值）：
2.8V（最大）
电压 - 击穿（最小值）：
3V
不同 Ipp 时电压 - 箝位（最大值）：
15V（标准）
电流 - 峰值脉冲 (10/1000µs)：
24A（8/20µs）
功率 - 峰值脉冲：
600W
电源线路保护：
无
应用：
通用
不同频率时电容：
1pF @ 1MHz
工作温度：
-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
供应商器件封装：
8-SOP
描述：
TVS DIODE 2.8VWM 15VC 8-SOP

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多SLVU2.8-4-TP供应商更新时间2025-5-23 18:26:00

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