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SMBT3906	文件：888.02 Kbytes Page：13 Pages	HighDCcurrentgain:0.1mAto100mALowcollector-emittersaturationvoltage	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
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SMBT3906S	文件：68.23 Kbytes Page：8 Pages	PNPSiliconSwitchingTransistorArray PNPSiliconSwitchingTransistorArray •HighDCcurrentgain:0.1mAto100mA •Lowcollector-emittersaturationvoltage •Two(galvanic)internalisolatedTransistors withhighmatchinginonepackage •Complementarytype:SMBT3904S(NPN)	SIEMENSSiemens Semiconductor Group 西门子德国西门子股份公司	SIEMENS
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SMBT3906S	文件：76.76 Kbytes Page：8 Pages	PNPSiliconSwitchingTransistorArray PNPSiliconSwitchingTransistors •HighDCcurrentgain:0.1mAto100mA •Lowcollector-emittersaturationvoltage •ForSMBT3906SandSMBT3906U: Two(galvanic)internalisolatedtransistor withgoodmatchinginonepackage •Complementarytypes: SMBT3904...MMBT3904(NPN) •SMB	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
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SMMBT3906L	文件：140.01 Kbytes Page：7 Pages	GeneralPurposeTransistor GeneralPurposeTransistor PNPSilicon Features •AEC−Q101QualifiedandPPAPCapable •SPrefixforAutomotiveandOtherApplicationsRequiringUniqueSiteandControl ChangeRequirements •TheseDevicesarePb−Free,HalogenFree/BFRFreeandareRoHSCompliant	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI

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更多SL3906T供应商更新时间2025-5-21 16:57:00

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