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SKB15N60	文件：450.21 Kbytes Page：14 Pages	Fast IGBT in NPT-technology with soft, fast recovery anti-parallel EmCon diode Fast IGBT in NPT-technology with soft, fast recovery anti-parallel EmCon diode • 75 lower Eoff compared to previous generation combined with low conduction losses • Short circuit withstand time – 10 µs • Designed for: - Motor controls - Inverter • NPT-Technology for 600V applications o 文件：450.21 Kbytes 页数：14 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
SKB15N60	文件：1.15613 Mbytes Page：13 Pages	Fast IGBT in NPT-technology with soft, fast recovery anti-parallel EmCon diode 文件：1.15613 Mbytes 页数：13 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
SKB15N60	文件：300 bytes Page：1 Pages	分立式IGBT Infineon provides a huge IGBT portfolio addressing Soft Switching/Resonant and Hard Switching Topologies. ·30% lower E off compared to previous generation\n ·Short circuit withstand time – 10μs\n ·Designed for operation above 30kHz\n ·High ruggedness, temperature stable behaviour\n ·Pb-free lead plating; RoHS compliant\n ·Qualified according to JEDEC for target applications;	Infineon 英飞凌	Infineon
SKB15N60HS	文件：348.75 Kbytes Page：14 Pages	High Speed IGBT in NPT-technology • 30 lower Eoff compared to previous generation • Short circuit withstand time – 10 µs • Designed for operation above 30 kHz • NPT-Technology for 600V applications offers: - parallel switching capability - moderate Eoff increase with temperature - very tight parameter distribution 文件：348.75 Kbytes 页数：14 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
SKB15N60_07	文件：1.15613 Mbytes Page：13 Pages	Fast IGBT in NPT-technology with soft, fast recovery anti-parallel EmCon diode 文件：1.15613 Mbytes 页数：13 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
SKB15N60HS	文件：1.18748 Mbytes Page：14 Pages	High Speed IGBT in NPT-technology 30 lower Eoff compared to previous generation 文件：1.18748 Mbytes 页数：14 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
SKB15N60HS_07	文件：1.18748 Mbytes Page：14 Pages	High Speed IGBT in NPT-technology 30 lower Eoff compared to previous generation 文件：1.18748 Mbytes 页数：14 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
SKB15N60HS	文件：300 bytes Page：1 Pages	分立式IGBT Infineon provides a huge IGBT portfolio addressing Soft Switching/Resonant and Hard Switching Topologies. ·30% lower E off compared to previous generation\n ·Short circuit withstand time – 10μs\n ·Designed for operation above 30kHz\n ·High ruggedness, temperature stable behaviour\n ·Pb-free lead plating; RoHS compliant\n ·Qualified according to JEDEC for target applications;	Infineon 英飞凌	Infineon

技术参数

Switching Frequency min max：
10.0kHz 40.0kHz
Package ：
D2PAK (TO-263)
Voltage Class max：
600.0V
IC(@100°) max：
15.0A
IC(@25°) max：
31.0A
ICpuls max：
62.0A
Ptot max：
139.0W
VCE(sat) ：
2.3V
Eon ：
0.45mJ
Eoff(Hard Switching) ：
0.41mJ
td(on) ：
31.0ns
tr ：
23.0ns
td(off) ：
261.0ns
tf ：
54.0ns
QGate ：
76.0nC
IF max：
31.0A
IFpuls max：
62.0A
VF ：
1.4V
Qrr ：
390.0nC
Irrm ：
5.0A
VCE max：
600.0V

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