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SKB15N60HS	文件：348.75 Kbytes Page：14 Pages	High Speed IGBT in NPT-technology •30lowerEoffcomparedtopreviousgeneration •Shortcircuitwithstandtime–10µs •Designedforoperationabove30kHz •NPT-Technologyfor600Vapplicationsoffers: -parallelswitchingcapability -moderateEoffincreasewithtemperature -verytightparameterdistribution	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
SKB15N60HS	文件：1.18748 Mbytes Page：14 Pages	High Speed IGBT in NPT-technology 30 lower Eoff compared to previous generation	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
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SKP15N60	文件：450.21 Kbytes Page：14 Pages	FastIGBTinNPT-technologywithsoft,fastrecoveryanti-parallelEmCondiode FastIGBTinNPT-technologywithsoft,fastrecoveryanti-parallelEmCondiode •75lowerEoffcomparedtopreviousgenerationcombinedwithlowconductionlosses •Shortcircuitwithstandtime–10µs •Designedfor: -Motorcontrols -Inverter •NPT-Technologyfor600Vapplicationso	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
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SPA15N60CFD	文件：342.77 Kbytes Page：12 Pages	CoolMOSTMPowerTransistorFeaturesIntrinsicfast-recoverybodydiode Features •Intrinsicfast-recoverybodydiode •Extremelylowreverserecoverycharge •Ultralowgatecharge •Extremedv/dtrated •Highpeakcurrentcapability •QualifiedaccordingtoJEDECfortargetapplications CoolMOSCFDdesignedfor: •SoftswitchingPWMStages •LCD&CRTTV	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
SPA15N60CFD	文件：260.91 Kbytes Page：2 Pages	IscN-ChannelMOSFETTransistor •FEATURES •WithTO-220Fpackage •Lowinputcapacitanceandgatecharge •Lowgateinputresistance •Reducedswitchingandconductionlosses •100avalanchetested •MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdeviceperformanceandreliableoperation •APPLICATIONS •Switchingapplication	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
SPI15N60CFD	文件：331.57 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor •DESCRITION •Ultralowgatecharge •Highpeakcurrentcapability •FEATURES •Staticdrain-sourceon-resistance: RDS(on)≤0.33Ω •Enhancementmode •FastSwitchingSpeed •100avalanchetested •MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC

详细参数

型号：
SKB15N60HS
功能描述：
IGBT 晶体管 HIGH SPEED NPT TECH 600V 15A
RoHS：
否
制造商：
Fairchild Semiconductor
配置：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
650 V
集电极—射极饱和电压：
2.3 V
栅极/发射极最大电压：
20 V 在25
C的连续集电极电流：
150 A
栅极—射极漏泄电流：
400 nA
功率耗散：
187 W
封装/箱体：
TO-247
封装：
Tube

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