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SSD02N60SL	文件：1.08853 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel650V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
SSM02N60P	文件：701.78 Kbytes Page：6 Pages	NCHANNELENHANCEMENTMODE	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
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UI02N60	文件：2.82515 Mbytes Page：5 Pages	N-Ch600VFastSwitchingMOSFETs	UNITPOWER Unitpower Technology Limited	UNITPOWER

详细参数

型号：
SKB02N60
功能描述：
IGBT 晶体管 FAST IGBT NPT TECH 600V 2A
RoHS：
否
制造商：
Fairchild Semiconductor
配置：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
650 V
集电极—射极饱和电压：
2.3 V
栅极/发射极最大电压：
20 V 在25
C的连续集电极电流：
150 A
栅极—射极漏泄电流：
400 nA
功率耗散：
187 W
封装/箱体：
TO-247
封装：
Tube

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