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STUP016	文件：28.7 Kbytes Page：4 Pages	SURFACEMOUNTTRANSIENTVOLTAGESUPPRESSOR VBR:6.8-440Volts PPK:400Watts FEATURES: 400Wsurgecapabilityat1ms Excellentclampingcapability Lowzenerimpedance Fastresponsetime:typicallylessthen1.0psfrom0volttoVBR(min.) TypicalIRlessthen1mAabove10V Pb/RoHSFree	EIC EIC discrete Semiconductors	EIC
STUP016	文件：80.63 Kbytes Page：4 Pages	SURFACEMOUNTTRANSIENTVOLTAGESUPPRESSOR	EIC EIC discrete Semiconductors	EIC
STUS016	文件：33.9 Kbytes Page：4 Pages	SURFACEMOUNTTRANSIENTVOLTAGESUPPRESSOR 500Wsurgecapabilityat1ms Excellentclampingcapability Lowzenerimpedance Fastresponsetime:typicallylessthen1.0psfrom0volttoVBR(min.) *TypicalIRlessthen1mAabove10V	EIC EIC discrete Semiconductors	EIC
STUS016	文件：80.08 Kbytes Page：4 Pages	SURFACEMOUNTTRANSIENTVOLTAGESUPPRESSOR	EIC EIC discrete Semiconductors	EIC
THNCF016MAA	文件：461.52 Kbytes Page：52 Pages	CompactFlashCard	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
THNCF016MBA	文件：526.86 Kbytes Page：48 Pages	TheTHNCFxxxMBA/BAIseriesCompactFlashcardisaflashtechnologybasedwithATAinterfaceflashmemorycard.	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
THNCF016MBAI	文件：526.86 Kbytes Page：48 Pages	TheTHNCFxxxMBA/BAIseriesCompactFlashcardisaflashtechnologybasedwithATAinterfaceflashmemorycard.	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
TND016B	文件：46.57 Kbytes Page：1 Pages	Low-SidePowerSwitchforUseinSolenoid,LampDriveApplications Low-SidePowerSwitchforUseinSolenoid,LampDriveApplications ExPD(ExcellentPowerDevice)	SANYOSanyo Semicon Device 三洋三洋电机株式会社	SANYO
TTC016	文件：314.75 Kbytes Page：2 Pages	iscSiliconNPNPowerTransistor DESCRIPTION ·HighBreakdownVoltage :VCEO=50V(Min) ·HighSwitchingSpeed ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation APPLICATIONS ·Horizontaldeflectionoutputforhighresolutiondisplay. ·Highspeedswitchingregulatoroutputapplications.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
TTC016	文件：311.45 Kbytes Page：6 Pages	BipolarTransistorsSiliconNPNEpitaxialType Applications •High-SpeedSwitching •DC-DCConverters Features (1)HighDCcurrentgain:hFE=400to1000(IC=0.5A) (2)Lowcollectorsaturationvoltage:VCE(sat)=0.22V(max)(IC=1.6A,IB=32mA) (3)High-speedswitching:tf=95ns(typ.)	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA

产品属性

产品编号：
SK016NTP
制造商：
Littelfuse Inc.
类别：
分立半导体产品 > 晶闸管 - SCR
包装：
管件
电流 - 非重复浪涌 50、60Hz (Itsm)：
188A，225A
SCR 类型：
标准恢复型
工作温度：
-40°C ~ 125°C
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
供应商器件封装：
TO-263（D2Pak）
描述：
SCR 1KV 16A TO263

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