SiZ342DDT中文资料Dual N-Channel 30 V (D-S) MOSFET数据手册Vishay规格书
SiZ342DDT规格书详情
特性 Features
TrenchFET® Gen IV power MOSFET
High side and low side MOSFETs form optimized combination for 50 % duty cycle
Optimized RDS - Qg and RDS - Qgd FOM elevates efficiency for high frequency switching
技术参数
- 制造商编号
：SIZ342DDT
- 生产厂家
：Vishay
- Package
：PowerPAIR 3 x 3
- Ch
：N
- VDS (V)
：30
- VGS (V)
：20
- RDS(on)@4.5V (Ω)
：0.0155
- RDS(on)@10V (Ω)
：0.0092
- Qg @4.5V (nC)
：4
- Qg @10V (nC)
：8.4
- Qgs (nC)
：2.2
- Qgd (nC)
：1
- ID Max. (A)
：33.6
- PD Max. (W)
：16.7
- VGS(th) Min. (V)
：1.1
- Rg Typ. (Ω)
：1.2
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Vishay(威世) |
2511 |
N/A |
11800 |
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VISHAY/威世 |
23+ |
QFN |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
询价 | ||
24+ |
N/A |
75000 |
一级代理-主营优势-实惠价格-不悔选择 |
询价 | |||
VISHAY/威世 |
24+ |
PowerPAIR3x3 |
60000 |
询价 | |||
Vishay(威世) |
25+ |
N/A |
8800 |
公司只做原装,详情请咨询 |
询价 | ||
VISHAY/威世 |
21+ |
DFN33A-8-EP |
10000 |
原装现货假一罚十 |
询价 | ||
VISHAY/威世 |
2223+ |
POWERPAIR3X3 |
26800 |
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询价 | ||
VISHAY |
24+ |
QFN |
35210 |
一级代理/全新现货/假一罚百! |
询价 | ||
Vishay(威世) |
24+ |
N/A |
11800 |
可配单提供样品 |
询价 | ||
Vishay Siliconix |
2022+ |
8-Power33(3x3) |
38550 |
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询价 |
