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SiZ342BDT数据手册Vishay中文资料规格书

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厂商型号

SiZ342BDT

功能描述

Dual N-Channel 30 V (D-S) MOSFET

制造商

Vishay Vishay Siliconix

中文名称

威世科技 威世科技半导体

数据手册

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更新时间

2025-8-7 10:46:00

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SiZ342BDT规格书详情

特性 Features

• TrenchFET® Gen IV power MOSFET
• High side and low side MOSFETs form optimized combination for 50 % duty cycle
• Optimized RDS - Qg and RDS - Qgd FOM elevates efficiency for high frequency switching




技术参数

  • 制造商编号

    :SIZ342BDT

  • 生产厂家

    :Vishay

  • Package

    :PowerPAIR 3 x 3

  • Ch

    :N

  • VDS (V)

    :30

  • VGS (V)

    :20

  • RDS(on)@4.5V (Ω)

    :0.0145

  • RDS(on)@10V (Ω)

    :0.00965

  • Qg @4.5V (nC)

    :4

  • Qg @10V (nC)

    :8.4

  • Qgs (nC)

    :2.2

  • Qgd (nC)

    :1

  • ID Max. (A)

    :32.9

  • PD Max. (W)

    :16.7

  • VGS(th) Min. (V)

    :1.1

  • Rg Typ. (Ω)

    :1

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