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SiZ342BDT

Dual N-Channel 30 V (D-S) MOSFET

• TrenchFET® Gen IV power MOSFET\n• High side and low side MOSFETs form optimized combination for 50 % duty cycle\n• Optimized RDS - Qg and RDS - Qgd FOM elevates efficiency for high frequency switching;

Vishay

威世

SIZ342DT

Dual N-Channel 30 V (D-S) MOSFET

文件:1.26696 Mbytes 页数:10 Pages

VishayVishay Siliconix

威世威世科技公司

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Dual N-Channel 30 V (D-S) MOSFET

文件:1.26274 Mbytes 页数:11 Pages

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Dual N-Channel 30 V (D-S) MOSFET

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技术参数

  • Package:

    PowerPAIR 3 x 3

  • Ch:

    N

  • VDS (V):

    30

  • VGS (V):

    20

  • RDS(on)@4.5V (Ω):

    0.0145

  • RDS(on)@10V (Ω):

    0.00965

  • Qg @4.5V (nC):

    4

  • Qg @10V (nC):

    8.4

  • Qgs (nC):

    2.2

  • Qgd (nC):

    1

  • ID Max. (A):

    32.9

  • PD Max. (W):

    16.7

  • VGS(th) Min. (V):

    1.1

  • Rg Typ. (Ω):

    1

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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更多SIZ342BDT供应商 更新时间2025-11-26 10:46:00