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SiSS5710DN中文资料N-Channel 150 V (D-S) MOSFET数据手册Vishay规格书
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特性 Features
• TrenchFET® Gen V power MOSFET
• Very low RDS x Qg figure of merit (FOM)
• Tuned for the lowest RDS x Qoss FOM
技术参数
- 制造商编号
:SISS5710DN
- 生产厂家
:Vishay
- Package
:PowerPAK 1212-8S
- Ch
:N
- VDS (V)
:150
- VGS (V)
:20
- RDS(on)@7.5V (Ω)
:0.037
- RDS(on)@10V (Ω)
:0.0315
- Qg @10V (nC)
:10
- Qgs (nC)
:5
- Qgd (nC)
:1.15
- ID Max. (A)
:26.2
- PD Max. (W)
:54.3
- VGS(th) Min. (V)
:2
- Rg Typ. (Ω)
:1.4
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
Vishay |
23+ |
二极管 |
5864 |
原装原标原盒 给价就出 全网最低 |
询价 | ||
Vishay / Siliconix |
2025+ |
PowerPAK8 |
56303 |
询价 | |||
VISHAY/威世 |
23+ |
DFN |
12800 |
公司只有原装 欢迎来电咨询。 |
询价 | ||
VISHAY |
原厂封装 |
9800 |
原装进口公司现货假一赔百 |
询价 | |||
24+ |
N/A |
65000 |
一级代理-主营优势-实惠价格-不悔选择 |
询价 | |||
VISHAY/威世 |
24+ |
N/A |
60000 |
询价 | |||
Vishay |
NEW- |
MOSFETs |
100000 |
SISS5710DN-T1-GE3 |
询价 | ||
VIS |
2405+ |
原厂封装 |
9000 |
只做原装优势现货库存 渠道可追溯 |
询价 | ||
VISHAY/威世通 |
21+ |
PowerPAK1212-8S |
10000 |
原装现货假一罚十 |
询价 | ||
Vishay Siliconix |
2022+ |
- |
38550 |
全新原装 支持表配单 中国著名电子元器件独立分销 |
询价 |