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SISS5710DN

N-Channel 150 V (D-S) MOSFET

FEATURES • TrenchFET® Gen V power MOSFET • Very low RDS x Qg figure of merit (FOM) • Tuned for the lowest RDS x Qoss FOM • 100 Rg and UIS tested • Material categorization: for definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?99912 APPLICATIONS • Synchronous rectification • Prima

文件:198.13 Kbytes 页数:7 Pages

VishayVishay Siliconix

威世科技

SiSS5710DN

N-Channel 150 V (D-S) MOSFET

• TrenchFET® Gen V power MOSFET\n• Very low RDS x Qg figure of merit (FOM)\n• Tuned for the lowest RDS x Qoss FOM;

Vishay

威世科技

SOM-AB5710

Mini-ITX COM-Express Evaluation Board

文件:330.62 Kbytes 页数:2 Pages

ADVANTECH

研华科技

TAS5710

20-W STEREO DIGITAL AUDIO POWER AMPLIFIER

文件:628.08 Kbytes 页数:26 Pages

TI

德州仪器

TAS5710

20-W STEREO DIGITAL AUDIO POWER AMPLIFIER WITH EQ/DRC and FEEDBACK

文件:1.31792 Mbytes 页数:58 Pages

TI

德州仪器

技术参数

  • Package:

    PowerPAK 1212-8S

  • Ch:

    N

  • VDS (V):

    150

  • VGS (V):

    20

  • RDS(on)@7.5V (Ω):

    0.037

  • RDS(on)@10V (Ω):

    0.0315

  • Qg @10V (nC):

    10

  • Qgs (nC):

    5

  • Qgd (nC):

    1.15

  • ID Max. (A):

    26.2

  • PD Max. (W):

    54.3

  • VGS(th) Min. (V):

    2

  • Rg Typ. (Ω):

    1.4

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
Vishay
NEW-
MOSFETs
100000
SISS5710DN-T1-GE3
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NK/南科功率
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PowerPAK1212-8S
986966
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Vishay / Siliconix
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9800
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更多SISS5710DN供应商 更新时间2025-10-7 13:40:00