| 订购数量 | 价格 |
|---|---|
| 1+ |
首页>SISS27DN-T1-GE3>芯片详情
SISS27DN-T1-GE3_VISHAY/威世_MOSFET -30V 5.6mOhm@10V -50A P-Ch G-III和润天下电子
- 详细信息
- 规格书下载
产品属性
- 类型
描述
- 型号:
SISS27DN-T1-GE3
- 功能描述:
MOSFET -30V 5.6mOhm@10V -50A P-Ch G-III
- RoHS:
否
- 制造商:
Vishay Semiconductors
- 晶体管极性:
P-Channel
- 汲极/源极击穿电压:
30 V
- 闸/源击穿电压:
+/- 20 V
- 漏极连续电流:
50 A 电阻汲极/源极
- RDS(导通):
5.6 mOhms
- 配置:
Single
- 最大工作温度:
+ 150 C
- 安装风格:
SMD/SMT
- 封装/箱体:
PowerPAK 1212-8
- 封装:
Reel
相近型号
- SISS30LDN-T1-GE3
- SISS32ADN-T1-GE3
- SISS26DN-T1-GE3
- SISS32DN-T1-GE3
- SISS32LDN-T1-GE3
- SISS23DN-T1-GE3
- SISS40DN
- SISS23DNT1GE3
- SISS40DN-T1-E3
- SISS23DN-T1-E3
- SISS40DNT1GE3
- SISS23DN
- SISS40DN-T1-GE3
- SISS22LDN-T1-GE3
- SISS22LDN-T1
- SISS42DN-T1-GE3
- SISS22DN-T1-GE3
- SISS42LDN-T1-GE3
- SISS12DN-T1-GE3
- SISS4402DN-T1-GE3
- SISS46DN-T1-GE3
- SISS10DN-T1-GE3
- SISS50DN-T1
- SISS10DNT1GE3
- SISS50DN-T1-E3
- SISS10DN-T1-E3
- SISS50DN-T1-GE3
- SISS10ADN-T1-GE3
- SISS5108DN-T1-GE3
- SISS10ADN-T1-G3
- SISS52DN-T1-GE3
- SISS08DN-T1-GE3
- SISS54DN-T1-GE3
- SISS06DN-T1-GE3
- SISS5708DN-T1-GE3
- SISS-06
- SISS5710DN-T1-GE3
- SISS05DN-T1-GE3
- SISS588DN-T1-GE3
- SISS05DN-T1
- SISS60DN-T1-GE3
- SISS04DN-T1-GE3
- SISS60DN-T1-GE3IC
- SISS02DN-T1-GE3
- SISS61DN-GE3
- SISS00DN
- SISS61DN-T1-GE3
- SISRW165V
- SISS62DN-T1-E3
- SIS-PT20



