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SiSHA18ADN

N-Channel 30 V (D-S) MOSFET

• TrenchFET® Gen IV power MOSFET\n• 100 % Rg and UIS tested;

Vishay

威世科技

SISHA18ADN

N-Channel 30 V (D-S) MOSFET

FEATURES • TrenchFET® Gen IV power MOSFET • 100 Rg and UIS tested • Material categorization: for definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?99912 APPLICATIONS • High power density DC/DC • Synchronous rectification • VRMs and embedded DC/DC

文件:194.94 Kbytes 页数:7 Pages

VishayVishay Siliconix

威世科技

SISHA18ADN-T1-GE3

包装:卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带 描述:N-CHANNEL 30 V (D-S) MOSFET POWE

VishayVishay Siliconix

威世科技

SISS27ADN-T1-GE3

vishay
PowerPAK

VishayVishay Siliconix

威世科技

上传:深圳市森泰鸿科技有限公司

SISS32DN-T1-GE3

VISHAY
PPAK1212-8S

VishayVishay Siliconix

威世科技

上传:深圳市长旗科技有限公司

技术参数

  • Package:

    PowerPAK 1212-8SH

  • Ch:

    N

  • VDS (V):

    30

  • VGS (V):

    20

  • RDS(on)@4.5V (Ω):

    0.007

  • RDS(on)@10V (Ω):

    0.0046

  • Qg @4.5V (nC):

    9.8

  • Qg @10V (nC):

    21.8

  • Qgs (nC):

    4.8

  • Qgd (nC):

    1.55

  • ID Max. (A):

    60

  • PD Max. (W):

    26.5

  • VGS(th) Min. (V):

    1

  • Rg Typ. (Ω):

    1.6

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
Vishay
NEW-
MOSFETs
100000
SISHA18ADN-T1-GE3
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更多SISHA18ADN供应商 更新时间2025-10-8 13:40:00