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SIS434DN-T1-GE3_VISHAY/威世_MOSFET 40V 35A 52W 7.6mohm @ 10V亿兴成电子

图片仅供参考，请参阅产品规格书

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  • 厂家型号：

    SIS434DN-T1-GE3

  • 产品分类：

    IC芯片

  • 生产厂商：

    VISHAY/威世

  • 库存数量：

    6698

  • 产品封装：

    QFN

  • 生产批号：

  • 库存类型：

    常用库存

  • 更新时间：

    2025-10-25 13:01:00

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原厂料号：SIS434DN-T1-GE3品牌：VISHAY/威世

  • 芯片型号：

    SIS434DN-T1-GE3

  • 规格书：

    下载

  • 企业简称：

    VISHAY【威世】详情

  • 厂商全称：

    Vishay Siliconix

  • 中文名称：

    威世科技公司

  • 内容页数：

    13 页

  • 文件大小：

    563.9 kb

  • 资料说明：

    N-Channel 40-V (D-S) MOSFET

产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号：

    SIS434DN-T1-GE3

  • 功能描述：

    MOSFET 40V 35A 52W 7.6mohm @ 10V

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性：

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压：

    650 V

  • 闸/源击穿电压：

    25 V

  • 漏极连续电流：

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS（导通）：

    0.014 Ohms

  • 配置：

    Single

  • 安装风格：

    Through Hole

  • 封装/箱体：

    Max247

  • 封装：

    Tube

供应商

  • 企业：

    深圳市福田区亿兴成电子商行

  • 商铺：

    进入商铺留言

  • 联系人：

    馬先生

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    深圳市福田区华强北街道华航社区深南大道3018号都会轩1812

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