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SIS415DNT

P-Channel 20 V (D-S) MOSFET

FEATURES • TrenchFET® Gen III P-channel power MOSFET • Thin 0.8 mm maximum height • 100 Rg and UIS tested • Material categorization: for definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?99912 APPLICATIONS • Smart phones, tablet PCs, and mobile computing - Battery switch - L

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SIS415DNT

P-Channel 20-V (D-S) MOSFET

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SIS415DNT_V01

P-Channel 20 V (D-S) MOSFET

FEATURES • TrenchFET® Gen III P-channel power MOSFET • Thin 0.8 mm maximum height • 100 Rg and UIS tested • Material categorization: for definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?99912 APPLICATIONS • Smart phones, tablet PCs, and mobile computing - Battery switch - L

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SiS415DNT

P-Channel 20-V (D-S) MOSFET

Vishay

威世

详细参数

  • 型号:

    SIS415DNT

  • 功能描述:

    MOSFET 20V .004ohm@10V 35A P-Ch G-III

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

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更多SIS415DNT供应商 更新时间2026-1-17 10:06:00