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SIS413DN-T1-GE3中文资料威世数据手册PDF规格书

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厂商型号

SIS413DN-T1-GE3

功能描述

P-Channel 30 V (D-S) MOSFET

文件大小

547.03 Kbytes

页面数量

13

生产厂商

Vishay Vishay Siliconix

中文名称

威世 威世科技公司

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数据手册

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更新时间

2025-11-15 12:16:00

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产品属性

  • 型号:

    SIS413DN-T1-GE3

  • 功能描述:

    MOSFET -30V 9.4mOhm@10V -18A P-Ch G-III

  • RoHS:

  • 制造商:

    Vishay Semiconductors

  • 晶体管极性:

    P-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    30 V

  • 闸/源击穿电压:

    +/- 20 V

  • 漏极连续电流:

    18 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    9.4 mOhms

  • 配置:

    Single

  • 最大工作温度:

    + 150 C

  • 安装风格:

    SMD/SMT

  • 封装/箱体:

    PowerPAK 1212-8

  • 封装:

    Reel

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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