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SIS410DN-T1-GE3中文资料威世科技数据手册PDF规格书
产品属性
- 型号：
SIS410DN-T1-GE3
- 功能描述：
MOSFET 20V 35A 5.2W
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶体管极性：
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：
650 V
- 闸/源击穿电压：
25 V
- 漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安装风格：
Through Hole
- 封装/箱体：
Max247
- 封装：
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
CCSEMI/芯能圆 |
24+ |
NA/ |
3000 |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
询价 | ||
VISHAY/威世 |
25+ |
DFN1212-8 |
20300 |
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VISHAY/威世 |
24+ |
DFN33 |
502644 |
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VISHAY |
23+ |
QFN |
4984 |
原厂原装正品 |
询价 | ||
Vishay(威世) |
23+ |
NA |
20094 |
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VISHAY |
25+23+ |
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VISHAY/威世 |
2450+ |
QFN |
6540 |
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VISHAY |
1242 |
866 |
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VISHAY |
DFN33 |
64540 |
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VISHAY(威世) |
24+ |
PowerPAK1212-8 |
9908 |
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询价 |
