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SIRA54ADP

N-Channel 40 V (D-S) MOSFET

FEATURES • TrenchFET® Gen IV power MOSFET • 40 V drain-source break-down voltage • Tuned for low Qg and Qoss • 100 Rg and UIS tested • Material categorization: for definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?99912 APPLICATIONS • Synchronous rectification • High power densit

文件:176.76 Kbytes 页数:7 Pages

VISHAYVishay Siliconix

威世威世科技公司

SiRA54ADP

N-Channel 40 V (D-S) MOSFET

• TrenchFET® Gen IV power MOSFET\n• 40 V drain-source break-down voltage\n• Tuned for low Qg and Qoss;

Vishay

威世

SIS307DV

BGA

SIS

矽统科技

上传:深圳庞田科技有限公司

SIS412DN-T1-GE3

PowerPAK1212-8

VISHAY(威世)

SIS434DN-T1-GE3

QFN8

VISHAY/威世

技术参数

  • Package:

    PowerPAK SO-8

  • Ch:

    N

  • VDS (V):

    40

  • VGS (V):

    20

  • RDS(on)@4.5V (Ω):

    0.0032

  • RDS(on)@10V (Ω):

    0.0022

  • Qg @4.5V (nC):

    21.5

  • Qg @10V (nC):

    46.7

  • Qgs (nC):

    9.3

  • Qgd (nC):

    4

  • ID Max. (A):

    128

  • PD Max. (W):

    65.7

  • VGS(th) Min. (V):

    1

  • Rg Typ. (Ω):

    1.1

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