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SiR812DP

N-Channel 30 V (D-S) MOSFET;

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半导体

SIR812DP

N-Channel 30 V (D-S) MOSFET

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半导体

SIR812DP-T1-GE3

N-Channel 30 V (D-S) MOSFET

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半导体

SK812CG

SurfaceMountSchottkyBarrierRectifier

SKTECHNOLGYSHIKE Electronics

时科广东时科微实业有限公司

SML-812

HighBrightnessTypeBack-firechipLEDs(Reversepackage)

ROHMRohm

罗姆罗姆半导体集团

SML812BCT

Reverse-mounttype

ROHMRohm

罗姆罗姆半导体集团

SML812BCT

Reverse-mountavailabletype

ROHMRohm

罗姆罗姆半导体集团

SML812BCT

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ROHMRohm

罗姆罗姆半导体集团

SML812BCT

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ROHMRohm

罗姆罗姆半导体集团

SML-812BCT

ReverseMountChipLEDsHighBrightnessType

ROHMRohm

罗姆罗姆半导体集团

详细参数

  • 型号:

    SIR812DP

  • 功能描述:

    MOSFET 30V 60A 104W 1.45mohm @ 10V

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
VISHAY/威世
2022+
DFN56
50000
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VISHAY/威世
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PowerPAKSO-8
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更多SIR812DP供应商 更新时间2025-7-29 14:02:00