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详细参数

型号：
SIR664DP-T1-GE3
功能描述：
MOSFET 60V 6mOhm@10V 60A N-Ch G-IV
RoHS：
否
制造商：
Vishay Semiconductors
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
60 V
闸/源击穿电压：
+/- 20 V
漏极连续电流：
60 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
6 mOhms
配置：
Single
最大工作温度：
+ 150 C
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
PowerPAK-SO-8
封装：
Reel

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