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SiR4608LDP中文资料N-Channel 60 V (D-S) MOSFET数据手册Vishay规格书
SiR4608LDP规格书详情
特性 Features
• TrenchFET® Gen IV power MOSFET
• Very low RDS x Qg figure-of-merit (FOM)
• Tuned for the lowest RDS x Qoss FOM
技术参数
- 制造商编号
：SIR4608LDP
- 生产厂家
：Vishay
- Package
：PowerPAK SO-8
- Ch
：N
- VDS (V)
：60
- VGS (V)
：20
- RDS(on)@4.5V (Ω)
：0.0153
- RDS(on)@10V (Ω)
：0.0115
- Qg @4.5V (nC)
：7
- Qg @10V (nC)
：15
- Qgs (nC)
：3.1
- Qgd (nC)
：1.95
- ID Max. (A)
：43.4
- PD Max. (W)
：39
- VGS(th) Min. (V)
：1
- Rg Typ. (Ω)
：1.5
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
SI |
24+ |
NA/ |
14171 |
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VISHAY |
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QFN |
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VISHAY |
DFN56 |
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VISHAY |
22+ |
QFN8 |
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VISHAY |
10+ |
QFN8 |
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VISHAY |
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QFN |
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Vishay(威世) |
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VIS |
23+ |
QFN8 |
5000 |
原装正品,假一罚十 |
询价 | ||
Vishay |
NEW- |
MOSFETs |
100000 |
SIR4608LDP-T1-GE3 |
询价 | ||
VISHAY |
原厂封装 |
9800 |
原装进口公司现货假一赔百 |
询价 |
