SiR4411DP数据手册Vishay中文资料规格书
SiR4411DP规格书详情
特性 Features
• TrenchFET® Gen IV p-channel power MOSFET
• 100 % Rg and UIS tested
技术参数
- 制造商编号
:SIR4411DP
- 生产厂家
:Vishay
- Package
:PowerPAK SO-8
- Ch
:P
- VDS (V)
:-40
- VGS (V)
:20
- RDS(on)@4.5V (Ω)
:0.015
- RDS(on)@10V (Ω)
:0.011
- Qg @4.5V (nC)
:36.5
- Qg @10V (nC)
:79
- Qgs (nC)
:11.5
- Qgd (nC)
:12.3
- ID Max. (A)
:-48.3
- PD Max. (W)
:56.8
- VGS(th) Min. (V)
:-1
- Rg Typ. (Ω)
:1.9
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
Vishay(威世) |
24+ |
NA/ |
8735 |
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询价 | ||
VISHAY(威世) |
24+ |
PowerPAKSO8 |
7350 |
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询价 | ||
VISHAY/威世 |
2407+ |
QFN8 |
7750 |
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询价 | ||
VISHAY/威世 |
2447 |
QFN8 |
100500 |
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Vishay / Siliconix |
2025+ |
PowerPAKSO-8-8 |
56303 |
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NK/南科功率 |
2025+ |
DFN5060 |
986966 |
国产 |
询价 | ||
Vishay |
NEW- |
MOSFETs |
100000 |
SIR4604DP-T1-GE3 |
询价 | ||
VISHAY/威世 |
2511 |
DFN5*6 |
360000 |
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24+ |
N/A |
51000 |
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