| 订购数量 | 价格 |
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| 1+ |
- 厂家型号：
SIR168DP-T1-GE3
- 产品分类：
IC芯片
- 生产厂商：
VSHAY
- 库存数量：
2198
- 产品封装：
QFN8
- 生产批号：
2010+
- 库存类型：
- 更新时间：
2025-11-10 10:13:00
SIR168DP-T1-GE3_VSHAY_MOSFET 30V 40A 34.7W 4.4mohm @ 10V澳亿芯一部
- 详细信息
- 规格书下载
原厂料号：SIR168DP-T1-GE3品牌：VSHAY
普通
- 芯片型号：
SIR168DP-T1-GE3
- 规格书：
- 资料说明：
MOSFET 30V 40A 34.7W 4.4mohm @ 10V
产品属性
- 类型
描述
- 型号：
SIR168DP-T1-GE3
- 功能描述：
MOSFET 30V 40A 34.7W 4.4mohm @ 10V
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶体管极性：
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：
650 V
- 闸/源击穿电压：
25 V
- 漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安装风格：
Through Hole
- 封装/箱体：
Max247
- 封装：
Tube
供应商
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