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| 零件编号 | 下载 订购 | 功能描述/丝印 | 制造商 上传企业 | LOGO |
|---|---|---|---|---|
SIR168DP-T1-GE3 | SIR168DP-T1-GE3 | SIR168DP-T1-GE3 |
详细参数
- 型号：
SIR168DP-T1-GE3
- 功能描述：
MOSFET 30V 40A 34.7W 4.4mohm @ 10V
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶体管极性：
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：
650 V
- 闸/源击穿电压：
25 V
- 漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安装风格：
Through Hole
- 封装/箱体：
Max247
- 封装：
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
VISHAY/威世 |
25+ |
PowerPAKSO-8 |
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更新时间2025-7-27 14:14:00
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- SMA17
- SMA180
- SMA18-1S
- SMA2
- SR0303-0320L-01
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