SiJH5800E中文资料N-Channel 80 V (D-S) 175 °C MOSFET数据手册Vishay规格书
SiJH5800E规格书详情
特性 Features
• TrenchFET® Gen V power MOSFET
• Fully lead (Pb)-free device
• Very low RDS x Qg figure of merit (FOM)
技术参数
更多- 制造商编号
：SIJH5800E
- 生产厂家
：Vishay
- Package
：PowerPAK 8 x 8L
- Ch
：N
- VDS (V)
：80
- VGS (V)
：20
- RDS(on)@7.5V (Ω)
：0.00158
- RDS(on)@10V (Ω)
：0.00135
- Qg @10V (nC)
：103
- Qgs (nC)
：35
- Qgd (nC)
：11
- ID Max. (A)
：302
- PD Max. (W)
：333
- VGS(th) Min. (V)
：2
- Rg Typ. (Ω)
：1.7
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
03+ |
QFP |
13500 |
全新原装进口自己库存优势 |
询价 | |||
YAGEO/国巨 |
24+ |
SMD |
6500 |
全新原装数量均有多电话咨询 |
询价 | ||
EPSON |
25+ |
TQFP144 |
4500 |
全新原装、诚信经营、公司现货销售! |
询价 | ||
YAGEO |
10+ |
SMD |
4000 |
原厂原装仓库现货,欢迎咨询 |
询价 | ||
SEMIKRON |
2023+ |
IGBT |
5800 |
进口原装,现货热卖 |
询价 | ||
MCC/美微科 |
2511 |
SOT23-6L |
360000 |
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询价 | ||
SIK |
25+ |
TO220 |
18000 |
原厂直接发货进口原装 |
询价 | ||
MEDER |
97+ |
24 |
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询价 | |||
24+ |
3000 |
自己现货 |
询价 | ||||
SIK |
23+ |
8SOP |
5000 |
原装正品,假一罚十 |
询价 |
