SiJH5100E数据手册Vishay中文资料规格书
SiJH5100E规格书详情
特性 Features
• TrenchFET® Gen V power MOSFET
• Fully lead (Pb)-free device
• Very low RDS x Qg figure of merit (FOM)
技术参数
- 制造商编号
：SIJH5100E
- 生产厂家
：Vishay
- Package
：PowerPAK 8 x 8L
- Ch
：N
- VDS (V)
：100
- VGS (V)
：20
- RDS(on)@7.5V (Ω)
：0.00214
- RDS(on)@10V (Ω)
：0.00189
- Qg @10V (nC)
：85
- Qgs (nC)
：31
- Qgd (nC)
：5.3
- ID Max. (A)
：277
- PD Max. (W)
：333
- VGS(th) Min. (V)
：2
- Rg Typ. (Ω)
：1.6
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
VISHAY(威世) |
24+ |
PowerPAK(8x8) |
7350 |
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询价 | ||
Vishay |
NEW- |
MOSFETs |
100000 |
Trans MOSFET N-CH 80V 30A T/R |
询价 | ||
MEDER |
97+ |
24 |
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EPSON |
23+ |
TQFP144 |
3500 |
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干簧 |
1736+ |
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EPSON |
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TQFP144 |
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03+ |
QFP |
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YAGEO |
10+ |
SMD |
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SOT4 |
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24+ |
3000 |
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询价 |
