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SiHG73N60E规格书详情
特性 Features
·Low figure-of-merit (FOM) Ron x Qg
·Low input capacitance (Ciss)
·Reduced switching and conduction losses
技术参数
- 型号:
SIHG73N60E
- 功能描述:
MOSFET 600V 39mOhm@10V 73A N-Ch E-SRS
- RoHS:
否
- 制造商:
STMicroelectronics
- 晶体管极性:
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压:
650 V
- 闸/源击穿电压:
25 V
- 漏极连续电流:
130 A 电阻汲极/源极
- RDS(导通):
0.014 Ohms
- 配置:
Single
- 安装风格:
Through Hole
- 封装/箱体:
Max247
- 封装:
Tube
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
VISHAY |
2018+ |
TO-3P |
11256 |
只做进口原装正品!假一赔十! |
询价 | ||
Vishay(威世) |
23+ |
NA |
20094 |
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询价 | ||
VISHAY/威世 |
14+ |
TO-247 |
2704 |
询价 | |||
Vishay(威世) |
23+ |
N/A |
11800 |
询价 | |||
VISHAY |
24+ |
TO-247 |
50 |
原厂/代理渠道价格优势 |
询价 | ||
VISHAY/威世 |
24+ |
TO-3P |
990000 |
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询价 | ||
VISHAY/威世 |
21+ |
Tube |
30000 |
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VISHAY/威世 |
22+ |
Tube |
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VISHAY |
25+23+ |
TO-3P |
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询价 | ||
VISHAY/威世 |
23+ |
TO-247 |
30000 |
全新原装现货,价格优势 |
询价 |