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SIHG47N60S-E3中文资料威世数据手册PDF规格书

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厂商型号

SIHG47N60S-E3

功能描述

600 V Power mosfets

文件大小

624.54 Kbytes

页面数量

4

生产厂商

Vishay Vishay Siliconix

中文名称

威世 威世科技公司

网址

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数据手册

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更新时间

2025-11-15 23:00:00

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SIHG47N60S-E3规格书详情

600 V POWER MOSFETs

Vishay is adding to its Super Junction power MOSFET family with new n-channel devices in the TO-247 package, featuring ultra-low maximum on-resistance and low gate charge for an improved figure of merit (FOM).

Features:

• High Ear capability

• Improved Ron x Qg figure of merit (FOM)

    – 18.81 Ω-nC (SiHG22N60S-E3)

        - SiHP22N60S-E3, SiHF22N60S-E3, and SiHB22N60S-E3 also available

    – 15.12 Ω-nC (SiHG47N60S-E3)

• Ultra-low R

DS(on)

• Ultra-low gate charge (Qg)

• 100 avalanche tested

• dV/dt ruggedness

• Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC

Applications

• PFC power supply stages

• Hard switching topologies

• Solar inverters

• UPS

• Motor control

• Lighting

• Server telecom

产品属性

  • 型号:

    SIHG47N60S-E3

  • 功能描述:

    MOSFET N-CHANNEL 600V

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
Vishay(威世)
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