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SIHFU1N60A-E3	文件：156.53 Kbytes Page：8 Pages	Power MOSFET FEATURES • Low Gate Charge Qg Results in Simple Drive Requirement • Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dt Ruggedness • Fully Characterized Capacitance and Avalanche Voltage and Current • Material categorization: For definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?99912 APPLICATIO 文件：156.53 Kbytes 页数：8 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
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更多SIHFU1N60A-E3供应商更新时间2026-2-1 15:35:00