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15N60	文件：165.12 Kbytes Page：6 Pages	15Amps,600VoltsN-CHANNELMOSFET DESCRIPTION TheUTC15N60isanN-channelmodepowerMOSFETusingUTC’sadvancedtechnologytoprovidecostumerswithplanarstripeandDMOStechnology.Thistechnologyisspecializedinallowingaminimumon-stateresistanceandsuperiorswitchingperformance.Italsocanwithstandhighenergypu	UTCYoushun Technology Co., Ltd 友顺友顺科技股份有限公司	UTC
15N60	文件：1.0671 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel650V(D-S)PowerMOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
15N60	文件：185.37 Kbytes Page：6 Pages	15A,600VN-CHANNELPOWERMOSFET	UTCYoushun Technology Co., Ltd 友顺友顺科技股份有限公司	UTC
15N60	文件：49.33 Kbytes Page：2 Pages	HighSwitchingSpeed	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
15N60CFD	文件：543.38 Kbytes Page：12 Pages	CoolMOSPowerTransistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
AIHD15N60RF	文件：1.75601 Mbytes Page：16 Pages	IGBTwithintegrateddiodeinpackagesofferingspacesavingadvantage	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
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CED15N60LN	文件：511.86 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES 600V,13.6A,RDS(ON)=0.28W@VGS=10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-251&TO-252package. RoHScompliant.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 華瑞華瑞功率電子股份有限公司	CET-MOS
CED15N60SA	文件：524.94 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES 650V@TJmax,13.4A,RDS(ON)=0.28W@VGS=10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-251&TO-252package. RoHScompliant.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 華瑞華瑞功率電子股份有限公司	CET-MOS
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CEU15N60LN	文件：511.86 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES 600V,13.6A,RDS(ON)=0.28W@VGS=10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-251&TO-252package. RoHScompliant.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 華瑞華瑞功率電子股份有限公司	CET-MOS
CEU15N60SA	文件：524.94 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES 650V@TJmax,13.4A,RDS(ON)=0.28W@VGS=10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-251&TO-252package. RoHScompliant.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 華瑞華瑞功率電子股份有限公司	CET-MOS
DTGF15N60	文件：1.79448 Mbytes Page：9 Pages	FastSwitching Features LowVesa FastSwitching HighRuggedness Short-circuitRated Applications HomeAppliances ompressors/AirConditioning MotorControl GeneralPurposeInverters	DINTEK DinTek Semiconductor Co,.Ltd	DINTEK
DTGK15N60	文件：1.79448 Mbytes Page：9 Pages	FastSwitching Features LowVesa FastSwitching HighRuggedness Short-circuitRated Applications HomeAppliances ompressors/AirConditioning MotorControl GeneralPurposeInverters	DINTEK DinTek Semiconductor Co,.Ltd	DINTEK
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FGP15N60UNDF	文件：826.27 Kbytes Page：9 Pages	600V,15AShortCircuitRatedIGBT	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild

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供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市科芯源微电子有限公司	SIHB15N60E功率三极管	VISHAY/威世	24+	TO263	58000	全新原厂原装正品现货,可提供技术支持、样品免费!	询价
深圳市宏捷佳电子科技有限公司	SiHB15N65E	Vishay	23+	D2PAK(TO-	33500	全新原装真实库存含13点增值税票!	询价
深圳市河锋鑫科技有限公司	SIHB15N65E	VISHAY/威世	D2PAK(TO-263)	22+	6000	十年配单,只做原装	询价
深圳市金芯世纪电子有限公司	SiHB15N65E	VISHAY/威世	22+	TO-263	100000	代理渠道/只做原装/可含税	询价
无锡固电半导体股份有限公司	SiHB15N65E	isc	2024	D2PAK/TO-263	3000	国产品牌isc,可替代原装	询价
深圳市创新迹电子有限公司	SIHB15N65E	VISHAY/威世	2022+	TO-263	30000	进口原装现货供应,原装假一罚十	询价
深圳市惊羽科技有限公司	SIHB15N65E	VISHAY-威世	24+25+/26+27+	TO-263-3	78800	一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库	询价
深圳市安富世纪电子有限公司	SiHB15N65E	VISHAY/威世	20+	TO-263	7500	现货很近!原厂很远!只做原装	询价
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深圳市鹏顺微电子科技有限公司	SIHB15N65E-GE3	Vishay Siliconix	2022+	TO-263-3,D2Pak(2 引线 + 接片	38550	全新原装支持表配单中国著名电子元器件独立分销	询价

更多SIHB15N60E功率三极管供应商更新时间2024-6-7 18:04:00

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