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|---|---|---|---|---|
SIHB12N50C-E3 | 100 Avalanche Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC FEATURES • Low Figure-of-Merit Ron x Qg • 100 Avalanche Tested • Gate Charge Improved • Trr/Qrr Improved • Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC 文件：153.36 Kbytes 页数：8 Pages | VishayVishay Siliconix 威世 | Vishay | |
SIHB12N50C-E3 | Power MOSFETs FEATURES • Low Figure-of-Merit Ron x Qg • 100 Avalanche Tested • Gate Charge Improved • Trr/Qrr Improved • Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC 文件：328.62 Kbytes 页数：10 Pages | VishayVishay Siliconix 威世 | Vishay | |
SIHB12N50C-E3 | N-Channel 650 V (D-S) MOSFET 文件：1.038089 Mbytes 页数：8 Pages | VBSEMI 微碧半导体 | VBSEMI | |
SIHB12N50C-E3 | Power MOSFET 文件：274.74 Kbytes 页数：13 Pages | VishayVishay Siliconix 威世 | Vishay |
详细参数
- 型号：
SIHB12N50C-E3
- 功能描述：
MOSFET N-Channel 500V
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶体管极性：
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：
650 V
- 闸/源击穿电压：
25 V
- 漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安装风格：
Through Hole
- 封装/箱体：
Max247
- 封装：
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
VISHAY |
25+ |
TO-263 |
1675 |
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询价 | ||
VISHAY |
23+ |
TO-263 |
50000 |
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VB |
21+ |
D2PAK |
10000 |
原装现货假一罚十 |
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D2PAK |
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Vishay Siliconix |
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VISHAY |
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VISHAY |
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TO-263 |
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NA |
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