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SIHB12N50C-E3中文资料微碧半导体数据手册PDF规格书
产品属性
- 型号：
SIHB12N50C-E3
- 功能描述：
MOSFET N-Channel 500V
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶体管极性：
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：
650 V
- 闸/源击穿电压：
25 V
- 漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安装风格：
Through Hole
- 封装/箱体：
Max247
- 封装：
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
VISHAY/威世 |
2450+ |
TO263 |
8850 |
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询价 | ||
JINGDAO/晶导微 |
23+ |
SOD-123 |
69820 |
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询价 | ||
VISHAY/威世 |
23+ |
TO-263 |
30000 |
全新原装现货,价格优势 |
询价 | ||
VISHAY(威世) |
24+ |
TO2633 |
7350 |
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询价 | ||
VISHAY/威世 |
23+ |
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询价 | |||
VISHAY |
20+ |
TO263 |
20 |
原装 |
询价 | ||
VISHAY/威世 |
2447 |
TO-263-3 |
100500 |
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VISHAY |
25+23+ |
TO-263 |
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SILICONIXVISHAY |
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NA |
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VISHAY |
原厂封装 |
9800 |
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询价 |
