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SIHB11N80AE	文件：202.25 Kbytes Page：9 Pages	E Series Power MOSFET FEATURES • Low figure-of-merit (FOM) Ron x Qg • Low effective capacitance (Ciss) • Reduced switching and conduction losses • Ultra low gate charge (Qg) • Avalanche energy rated (UIS) • Integrated Zener diode ESD protection • Material categorization: for definitions of compliance please see 文件：202.25 Kbytes 页数：9 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
SiHB11N80AE	文件：300 bytes Page：1 Pages	E Series Power MOSFET	Vishay 威世	Vishay
SIHB11N80E	文件：322.83 Kbytes Page：2 Pages	iscN-Channel MOSFET Transistor 文件：322.83 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
SIHB11N80E	文件：136.83 Kbytes Page：7 Pages	E Series Power MOSFET FEATURES • Low figure-of-merit (FOM) Ron x Qg • Low input capacitance (Ciss) • Reduced switching and conduction losses • Ultra low gate charge (Qg) • Avalanche energy rated (UIS) • Material categorization: for definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?99912 APPLICATIONS • 文件：136.83 Kbytes 页数：7 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
SIHD11N80AE	文件：199.15 Kbytes Page：9 Pages	E Series Power MOSFET FEATURES • Low figure-of-merit (FOM) Ron x Qg • Low effective capacitance (Ciss) • Reduced switching and conduction losses • Ultra low gate charge (Qg) • Avalanche energy rated (UIS) • Integrated Zener diode ESD protection • Material categorization: for definitions of compliance please see 文件：199.15 Kbytes 页数：9 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY

技术参数

Package：
D2PAK (TO-263)
Ch：
N
VDS (V)：
800
VGS (V)：
30
RDS(on)@10V (Ω)：
0.45
Qg @10V (nC)：
28
Qgs (nC)：
6
Qgd (nC)：
12
ID Max. (A)：
8
PD Max. (W)：
78
VGS(th) Min. (V)：
2
Rg Typ. (Ω)：
1.5

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市鹏顺微电子科技有限公司	SIHB120N60E-GE3	Vishay Siliconix	2022+	TO-263-3,D2Pak(2 引线 + 接片	38550	全新原装支持表配单中国著名电子元器件独立分销	询价
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深圳市科雨电子有限公司	SIHB12N50C-E3	VISHAY	25+	TO-263	1675	就找我吧!--邀您体验愉快问购元件!	询价

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