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SIHB053N60E

E Series Power MOSFET

FEATURES • 4th generation E series technology • Low figure-of-merit (FOM) Ron x Qg • Low effective capacitance (Co(er)) • Reduced switching and conduction losses • Avalanche energy rated (UIS) • Material categorization: for definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?99912 AP

文件:198.08 Kbytes 页数:9 Pages

VISHAYVishay Siliconix

威世威世科技公司

SiHB053N60E

E Series Power MOSFET

Vishay

威世

SIHG16N50C-E3

TO-247

VISHY

SIHG22N60E-GE3

TO-247

VISHAY/威世

SIHP068N60EF-GE3

TO-22

VISHAYVishay Siliconix

威世威世科技公司

上传:深圳市中广亿科技发展有限公司

技术参数

  • Package:

    D2PAK (TO-263)

  • Ch:

    N

  • VDS (V):

    600

  • VGS (V):

    30

  • RDS(on)@10V (Ω):

    0.054

  • Qg @10V (nC):

    61

  • Qgs (nC):

    27

  • Qgd (nC):

    13

  • ID Max. (A):

    47

  • PD Max. (W):

    278

  • VGS(th) Min. (V):

    3

  • Rg Typ. (Ω):

    0.8

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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更多SIHB053N60E供应商 更新时间2026-2-1 13:40:00