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SIGC84T120R3LE分立半导体产品晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
SIGC84T120R3LE |
| 参数属性 | SIGC84T120R3LE 包装为管件；类别为分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单；产品描述：IGBT 1200V 75A DIE |
| 功能描述 | positive temperature coefficient |
| 文件大小 |
196.85 Kbytes |
| 页面数量 |
5 页 |
| 生产厂商 | Infineon Technologies AG |
| 企业简称 |
Infineon【英飞凌】 |
| 中文名称 | 英飞凌科技股份公司官网 |
| 原厂标识 |  |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2024-9-22 18:05:00 |
SIGC84T120R3LE规格书详情
SIGC84T120R3LE属于分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单。英飞凌科技股份公司制造生产的SIGC84T120R3LE晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT（绝缘栅双极晶体管）是一种具有三个端子的多层半导体器件，能够处理大电流，具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。
产品属性
更多- 产品编号：
SIGC84T120R3LEX1SA7
- 制造商：
Infineon Technologies
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
- 系列：
TrenchStop™
- 包装：
管件
- IGBT 类型：
沟槽型场截止
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
2.1V @ 15V，75A
- 输入类型：
标准
- 描述：
IGBT 1200V 75A DIE
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
SIGE |
21+ |
QFN |
35200 |
一级代理/放心采购 |
询价 | ||
ADI/亚德诺 |
原封装 |
66900 |
集团化配单-有更多数量-免费送样-原包装正品现货-正规 |
询价 | |||
SIGE |
589220 |
16余年资质 绝对原盒原盘 更多数量 |
询价 | ||||
SIGE |
23+ |
QFN |
8230 |
全新原装真实库存含13点增值税票! |
询价 | ||
ADI/亚德诺 |
22+ |
66900 |
原封装 |
询价 | |||
SIG |
22+ |
SOP-28 |
10000 |
原装正品优势现货供应 |
询价 | ||
SIGE |
16+ |
QFN |
2500 |
进口原装现货/价格优势! |
询价 | ||
INFINEON |
23+ |
7000 |
询价 | ||||
ANADIGCS |
23+ |
QFP |
6000 |
只做原装 |
询价 | ||
SIGE |
2008 |
QFP |
7500 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
询价 |
