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SIGC57T120R3分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF中文资料

SIGC57T120R3
厂商型号

SIGC57T120R3

参数属性

SIGC57T120R3 封装/外壳为模具;包装为管件;类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单;产品描述:IGBT 1200V 50A DIE

功能描述

IGBT3 Chip
IGBT 1200V 50A DIE

封装外壳

模具

文件大小

84.52 Kbytes

页面数量

4

生产厂商 Infineon Technologies AG
企业简称

Infineon英飞凌

中文名称

英飞凌科技股份公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-5-7 18:32:00

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SIGC57T120R3规格书详情

SIGC57T120R3属于分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单。由英飞凌科技股份公司制造生产的SIGC57T120R3晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT(绝缘栅双极晶体管)是一种具有三个端子的多层半导体器件,能够处理大电流,具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。

产品属性

更多
  • 产品编号:

    SIGC57T120R3LEX1SA3

  • 制造商:

    Infineon Technologies

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

  • 包装:

    管件

  • IGBT 类型:

    沟槽型场截止

  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):

    2.1V @ 15V,50A

  • 输入类型:

    标准

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    模具

  • 供应商器件封装:

    模具

  • 描述:

    IGBT 1200V 50A DIE

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
INFINEON/英飞凌
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