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SIGC28T60E

IGBT 裸片

我们的 TRENCHSTOP™ IGBT 结合了独特的沟槽和场截止技术,是行业的标杆 • 低关断损耗\n • 短尾电流\n • 正温度系数\n • 易于并联;

Infineon

英飞凌

SIGC28T60E

600V trench & field stop technology

文件:286.95 Kbytes 页数:9 Pages

Infineon

英飞凌

SIGC28T60

IGBT3 Chip

文件:83.9 Kbytes 页数:4 Pages

Infineon

英飞凌

SIHG16N50C-E3

VISHY
TO-247

VISHY

SIHG22N60E-GE3

VISHAY/威世
TO-247

VISHAY/威世

技术参数

  • VCE(sat)max:

    1.85 V

  • VCEmax:

    600 V

  • VDSmax:

    600 V

  • VGE(th):

    5 V to 6.5 V

  • Operating Temperature:

    -40 °C to 175 °C

  • Technology:

    IGBT3

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
INFINEON
23+
8000
只做原装现货
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INFINEON
23+
7000
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INFINEON/英飞凌
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英飞凌MOS管、IGBT大量有货
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INFINEON/英飞凌
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专业配单,原装正品假一罚十,代理渠道价格优
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Infineon Technologies
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INFINEON
24+
con
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更多SIGC28T60E供应商 更新时间2025-10-4 15:01:00