SIE836DF说明书PDF资料市场行情Vishay第2页-114ic电子网

首页 >SIE836DF>规格书列表

零件编号	下载订购	功能描述/丝印	制造商上传企业	LOGO
TA836MM	文件：421.5 Kbytes Page：4 Pages	RemoteControl,RFSAWFilter	Transko Transko Electronics, Inc.	Transko
TFS836C	文件：190.19 Kbytes Page：5 Pages	Filterspecification	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商etc2未分类制造商	etc2
TFS836G	文件：84.24 Kbytes Page：5 Pages	VectronInternationalFilterspecification	Vectron Vectron International, Inc	Vectron
TLP836	文件：319.55 Kbytes Page：6 Pages	TOSHIBAPHOTOINTERRUPTERINFRAREDLEDPHOTOTRANSISTOR	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
TS836	文件：240.58 Kbytes Page：10 Pages	MICROPOWERVOLTAGESUPERVISORRESETACTIVEHIGH	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
TS836	文件：73.38 Kbytes Page：8 Pages	MICROPOWERVOLTAGESUPERVISORRESETACTIVEHIGH DESCRIPTION TheTS836ultralowpowerintegratedcircuitincorporatesahighstabilityband-gapvoltagereferenceandacomparatorwithopendrainoutput. Thethresholdvoltageissetat4.5VforTS836-4byinternalthermallymatchedresistances. Thecomparatorexhibitsa20µsresponse(with10	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
UPA836TC	文件：16.72 Kbytes Page：2 Pages	NPNSILICONEPITAXIALTWINTRANSISTOR	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
UPA836TF	文件：79.54 Kbytes Page：11 Pages	NPNSILICONEPITAXIALTWINTRANSISTOR DESCRIPTION TheµPA836TFhastwodifferentbuilt-intransistors(Q1andQ2)forlownoiseamplificationintheVHFbandtoUHFband. FEATURES •Lownoise Q1:NF=1.5dBTYP.@f=2GHz,VCE=3V,IC=3mA Q2:NF=1.7dBTYP.@f=2GHz,VCE=1V,IC=3mA •Highgain Q1:\|	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
UZ836	文件：224.84 Kbytes Page：2 Pages	POWERZENERS3WATT	DIGITRON Digitron Semiconductors	DIGITRON
XC836	文件：1.36759 Mbytes Page：56 Pages	8-BitSingle-ChipMicrocontroller TheXC835/836hasthefollowingfeatures: •High-performanceXC800Core –compatiblewithstandard8051processor –twoclockspermachinecyclearchitecture(formemoryaccesswithoutwaitstate) –twodatapointers •On-chipmemory –8KbytesofBootROM,LibraryROMandUserr	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon

详细参数

型号：
SIE836DF
功能描述：
MOSFET 200V 18.3A 104W 130mohm @ 10V
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
贸泽芯城（深圳）电子科技有限公司	SiE836DF	VISHAY/威世	23+	QFN	3000	一级代理原厂VIP渠道,专注军工、汽车、医疗、工业、	询价
深圳市科雨电子有限公司	SIE836DF-T1-E3	VISHAY	1503+	10-PAK	3000	就找我吧!--邀您体验愉快问购元件!	询价
深圳市河锋鑫科技有限公司	SIE836DFT1GE3	Vishay Siliconix	22+	10PolarPAK? (SH)	9000	原厂渠道,现货配单	询价
深圳市鹏顺微电子科技有限公司	SIE836DF-T1-E3	Vishay Siliconix	2022+	10-PolarPAK?(SH)	38550	全新原装支持表配单中国著名电子元器件独立分销	询价
深圳市博中泰实业有限公司	SIE844DF	VISHAY/威世	24+	PolarPAK	60000	全新原装现货	询价
深圳市华斯顿科技有限公司	SIE844DF-T1-E3	VISHAY	25+23+	SMD10	6804	绝对原装正品全新进口深圳现货	询价
深圳兆威电子有限公司	SIE844DF-T1-E3	VISHAY/威世	22+	SMD10	32252	原装正品现货	询价
瀚佳科技(深圳)有限公司	SIE844DF-T1-E3	VISHAY	24+	SMD10	65200	一级代理/放心采购	询价
艾睿国际（香港）有限公司	SIE844DF-T1-E3	VISHAY/威世	2447	SMD10	100500	一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,长期排单到货	询价
深圳市凌旭科技有限公司	SIE844DF-T1-E3	VISHAY/威世	21+	SMD10	1709		询价

更多SIE836DF供应商更新时间2025-7-16 9:29:00

客户服务网站合作

Tel：0755 8246 9263
Email：kf＠114ic.com
投诉建议：kf@114ic.com

Copyright © 2003-2025 114ic.com All Rights Reserved 粤ICP备05011613号粤公网安备 44030402000933号