| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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VISHAYN/A |
70000 |
2025+ |
柒号只做原装 现货价秒杀全网 |
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3年
留言
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VISHAY/威世PolarPAK |
10000 |
24+ |
只有原装 |
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13年
留言
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VISHAYQFN |
9000 |
2016+ |
只做原装,假一罚十,公司可开17%增值税发票! |
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10年
留言
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UTC/友顺POLARPAK |
20000 |
21+ |
只做原装,质量保证 |
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1年
留言
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VISHAY/威世POLARPA |
11 |
25+ |
原装正品 |
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3年
留言
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SAMSUNG/三星BGA |
8800 |
23+ |
只做原装正品现货 |
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12年
留言
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VISHAYQFN |
2860 |
25+ |
原厂原装正品价格优惠公司现货欢迎查询 |
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11年
留言
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UTC/友顺POLARPAK |
9600 |
24+ |
原装现货,优势供应,支持实单! |
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2年
留言
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VISHAY |
3000 |
20+ |
10-PolarPAK庐 (L) |
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5年
留言
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VISHAYSO-8 |
26200 |
25+ |
原装现货,诚信经营! |
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3年
留言
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VISHAY/威世PolarPAK |
9000 |
2021+ |
原装现货,随时欢迎询价 |
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6年
留言
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VISHAYPOLARPAK |
11580 |
11+ |
一站式服务：我们强大的资源让我们不仅仅能为您找到偏冷门及停产产品，同时能以好的价格完成您的整单需求．如果您有计划采购表或者需要一站式服务，请同我们公司的专业人士联系 |
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15年
留言
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VISHAY/威世POLARPAK |
32360 |
25+ |
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VISHAY/威世全新特价SIE810DF-T1-E3即刻询购立享优惠#长期有货 |
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2年
留言
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VISHAY/威世POLARPA |
11 |
24+ |
全新原装,一手货源,全场热卖! |
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13年
留言
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VISHAYQFN |
9000 |
2016+ |
只做原装,假一罚十,公司可开17%增值税发票! |
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8年
留言
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VISHAYPOLARPAK |
20000 |
23+ |
全新原装假一赔十 |
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15年
留言
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VISHAYna |
65790 |
20+ |
原装优势主营型号-可开原型号增税票 |
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7年
留言
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VISHAYQFN |
3000 |
11+ |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
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12年
留言
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VISHAY/威世DFN |
9850 |
2450+ |
只做原装正品现货或订货假一赔十! |
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13年
留言
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VISHAY/威世SMD10 |
1709 |
21+ |
SIE8采购信息快速发布，第一时间取得供应商价格！
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SIE810DF-T1-E3价格
SIE810DF-T1-E3价格：￥0.0000品牌：VISHAY
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SIE844DF-T1-E3资讯
SIE810DF-T1-E3 深圳市鸿昌盛电子科技有限公司
公司常备现货库存，百分百原装正品，假一赔百 姓名 张雨 szhcs08@126.com 公司名称：深圳市鸿昌盛电了科技有限公司 地址：深圳市福田区上步工业区101栋515 QQ:1502931190 电话：0755-66807073。 手机：18038005006 传真：0755-83
SIE844DF-T1-E3中文资料Alldatasheet PDF
更多SIE800DF制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 30-V(D-S) MOSFET
SIE800DF-T1-E3功能描述:MOSFET 30V 50A 104W 7.2mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SIE800DF-T1-GE3功能描述:MOSFET 30V 90A 104W 7.2mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SIE802DF-T1-E3功能描述:MOSFET 30V 60A 125W 1.9mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SIE802DF-T1-GE3功能描述:MOSFET 30V 202A 125W 1.9mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SIE804DF-T1-GE3功能描述:MOSFET 150V 37A 125W 38mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SIE806DF制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 30-V(D-S) MOSFET
SIE806DF-T1-E3功能描述:MOSFET 30V 60A 125W 1.7mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SIE806DF-T1-GE3功能描述:MOSFET 30V 202A 125W 1.7mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SIE808DF制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 20-V(D-S) MOSFET
