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SIDC81D120H8

二极管裸片

发射极控制二极管是英飞凌独特的快速恢复二极管技术。我们的超薄晶圆和场截止技使发射极控制二极管非常适合消费及工业应用,因为它通过软恢复降低了 IGBT 的开通损耗。发射极控制二极管针对英飞凌 IGBT 技术进行了优化。 • 软开关、快速开关\n• 低反向恢复电荷\n• 小温度系数;

Infineon

英飞凌

SIDC81D120H8

Fast switching emitter controlled 3 diode chip

Features • VRRM = 1200 V • IFn = 150 A • 1200 V emitter controlled technology • Soft, fast switching • Low reverse recovery charge • Small temperature coefficient Description Recommended for: • Power modules • Discrete devices

文件:175.85 Kbytes 页数:8 Pages

INFINEON

英飞凌

SIDC81D120H8X1SA3

包装:带盒(TB) 类别:分立半导体产品 二极管 - 整流器 - 单 描述:DIODE GEN PURP 1.2KV 150A WAFER

INFINEON

英飞凌

SIE20034

DIP

ST

SIE800DF-T1-E3

QFN

VISHAYVishay Siliconix

威世威世科技公司

上传:深圳市旺财半导体有限公司

技术参数

  • IFmax:

    150 A

  • IRmax:

    27 µA

  • VDSmax:

    1200 V

  • VF:

    1.6 V

  • Technology:

    Emitter Controlled Diode Fast

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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更多SIDC81D120H8供应商 更新时间2026-1-26 8:01:00