| 型号 | 下载 订购 | 功能描述 | 制造商 上传企业 | LOGO |
|---|---|---|---|---|
场效应管 | HXY MOSFET 华轩阳电子 | HXY MOSFET | ||
Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET | ONSEMI 安森美半导体 | ONSEMI |
技术参数
- ID/A：
6.5
- VDS/V：
60
- RDS(on)/mΩ：
32
- VGS/V：
20
- VGS(th)/V：
1.0-2.0
- N/P：
N+N
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
VISHAY |
2024+ |
N/A |
70000 |
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3.9mm8 |
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NA |
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Vishay(威世) |
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SI |
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VISHAY |
23+ |
SMD |
2000 |
现货库存 |
询价 |
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更新时间2026-1-20 13:00:00
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